Introducción a la tecnología de polisilicio de baja temperatura LTPS

La tecnología de polisilicio de baja temperatura LTPS (polisilicio de baja temperatura) fue desarrollada originalmente por empresas de tecnología japonesas y norteamericanas para reducir el consumo de energía de la pantalla del Note-PC y hacer que el Note-PC parezca más delgado y liviano. A mediados de la década de 1990, esta tecnología comenzó a ponerse en fase de prueba. LTPS derivado de la nueva generación de panel orgánico emisor de luz OLED también se puso formalmente en uso en 1998, sus mayores ventajas son ultradelgadas, livianas y de bajo consumo. Consumo, puede proporcionar colores más hermosos e imágenes más claras.

Polisilicio de baja temperatura

LCD TFTse puede dividir en silicio policristalino (Poly-Si TFT) y silicio amorfo (a-Si TFT), la diferencia entre los dos radica en las diferentes características del transistor. La estructura molecular del polisilicio está dispuesta de forma ordenada y directiva en un grano, por lo que el La movilidad de los electrones es 200-300 veces más rápida que la del silicio amorfo. Generalmente conocido comoLCD TFTse refiere al silicio amorfo, tecnología madura, para los principales productos LCD. El polisilicio incluye principalmente dos tipos de productos: polisilicio de alta temperatura (HTPS) y polisilicio de baja temperatura (LTPS).

Polisilicio de baja temperatura; Polisilicio de baja temperatura; LTPS (pantalla de cristal líquido con transistor de película delgada) utiliza láser excimer como fuente de calor en el proceso de envasado. Después de que la luz láser pasa a través del sistema de proyección, el rayo láser con distribución uniforme de energía se generará y proyectará sobre el sustrato de vidrio de la estructura de silicio amorfo. Después de que el sustrato de vidrio de la estructura de silicio amorfo absorba la energía del láser excimer, se transformará en una estructura de polisilicio. Porque todo el proceso se completa en 600 ℃, por lo que se puede aplicar el sustrato de vidrio general.

Ccaracterístico

LTPS-TFT LCD tiene las ventajas de alta resolución, velocidad de reacción rápida, alto brillo, alta tasa de apertura, etc. Además, debido a la disposición del cristal de silicio deLCD LTPS-TFTestá en orden que a-Si, la movilidad de los electrones es más de 100 veces mayor y el circuito de conducción periférico se puede fabricar sobre el sustrato de vidrio al mismo tiempo. Logre el objetivo de integración del sistema, ahorre espacio e impulse el costo de IC.

Al mismo tiempo, debido a que el circuito IC del controlador se produce directamente en el panel, puede reducir el contacto externo del componente, aumentar la confiabilidad, facilitar el mantenimiento, acortar el tiempo del proceso de ensamblaje y reducir las características EMI, y luego reducir el diseño del sistema de aplicación. tiempo y ampliar la libertad de diseño.

LTPS-TFT LCD es la más alta tecnología para lograr System on Panel, la primera generación deLCD LTPS-TFTEl uso de un circuito controlador integrado y un transistor de imagen de alto rendimiento para lograr una alta resolución y un efecto de alto brillo ha hecho que LTPS-TFT LCD y A-Si tengan una gran diferencia.

La segunda generación de LTPS-TFT LCD a través del progreso de la tecnología de circuitos, desde la interfaz analógica a la interfaz digital, reduce el consumo de energía. La movilidad en el operador de esta generaciónLCD LTPS-TFTes 100 veces mayor que el de a-Si TFT y el ancho de línea del patrón del electrodo es de aproximadamente 4 μm, que no se utiliza completamente para LTPS-TFT LCD.

Los LCD LTPS-TFT se integran mejor en el LSI periférico que la Generación 2. El propósito de los LCD LTPS-TFT es1) no tener partes periféricas para hacer que el módulo sea más delgado y liviano y reducir la cantidad de piezas y el tiempo de ensamblaje; (2) el procesamiento de señal simplificado puede reducir el consumo de energía; (3) Equipado con memoria puede reducir el consumo de energía al mínimo.

Se espera que LTPS-TFT LCD se convierta en un nuevo tipo de pantalla debido a sus ventajas de alta resolución, alta saturación de color y bajo costo. Con las ventajas de una alta integración de circuitos y bajo costo, tiene una ventaja absoluta en la aplicación de pantallas pequeñas y Paneles de visualización de tamaño mediano.

Sin embargo, hay dos problemas en p-Si TFT. Primero, la corriente de apagado (es decir, corriente de fuga) de TFT es grande (Ioff = nuVdW/L); segundo, es difícil preparar material p-Si de alta movilidad en Área grande a baja temperatura, y hay cierta dificultad en el proceso.

Es una nueva generación de tecnología derivada deLCD TFT. Las pantallas LTPS se fabrican agregando un proceso láser a los paneles TFT-LCD de silicio amorfo (A-Si) convencionales, lo que reduce la cantidad de componentes en un 40 por ciento y las piezas de conexión en un 95 por ciento, lo que reduce en gran medida la posibilidad de falla del producto. La pantalla ofrece importantes mejoras en el consumo de energía y durabilidad, con 170 grados de ángulos de visión horizontal y vertical, 12 ms de tiempo de respuesta, 500 nits de brillo y relación de contraste de 500:1.

Hay tres formas principales de integrar controladores p-Si de baja temperatura:

El primero es el modo de integración híbrida de escaneo y cambio de datos, es decir, el circuito de línea está integrado, el interruptor y el registro de desplazamiento están integrados en el circuito de línea, y el controlador de direccionamiento múltiple y el amplificador están conectados externamente a la pantalla plana. con el circuito heredado;

En segundo lugar, todo el circuito de conducción está completamente integrado en la pantalla;

En tercer lugar, los circuitos de conducción y control están integrados en la pantalla.

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